IGBT：? 是一種大功率的電力電子器件，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。三大特點就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領域非常理想的開關器件。

IGBT：? 是一種大功率的電力電子器件，是一個非通即斷的開關，IGBT沒有放大電壓的功能，導通時可以看做導線，斷開時當做開路。三大特點就是高壓、大電流、高速。它是電力電子領域非常理想的開關器件。

場效應管和IGBT有什么不同？
IGBT更強大。因為場效應管主要是靠導電層的夾斷來控制導通和關段的，容易擊穿和靜電危機。。但是IGBT是絕緣柵雙極晶體管一般場效應管的優(yōu)點它都有
IGBT (Insulated Gate Bipolar Transistor)是由BJT(雙極型三極管)和MOS(絕緣柵型場效應管)組成的復合全控型電壓驅動式電力半導體器件, 兼有MOSFET的高輸入阻抗和GTR的低導通壓降兩方面的優(yōu)點。
GTR飽和壓降低，載流密度大，但驅動電流較大;MOSFET驅動功率很小，開關速度快，但導通壓降大，載流密度小。IGBT綜合了以上兩種器件的優(yōu)點，驅動功率小而飽和壓降低。
專業(yè)名字為絕緣柵雙極型功率管 。通俗點說GBT管是有MOS管（場效應管）和雙極型達林頓管結合而成。將場效應管做為推動管，大功率達林頓管作為輸出管。這樣兩者優(yōu)點有機的結合成現(xiàn)在的IGBT管，功率可以做的很大。

場效應晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應管。主要有兩種類型（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導體場效應管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域寬等優(yōu)點。

IGBT更強大。因為場效應管主要是靠導電層的夾斷來控制導通和關段的，容易擊穿和靜電危機。。但是IGBT是絕緣柵雙極晶體管一般場效應管的優(yōu)點它都有