主要優(yōu)點(diǎn)
?在各種操作模式下分析導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品，得到二次電子像和背散射電子像
?最大程度降低樣品制備要求:低真空/環(huán)境真空技術(shù)使得不導(dǎo)電樣品和/或含水樣品不經(jīng)導(dǎo)
電處理即可直接成像和分析，樣品表面無電荷累積現(xiàn)象
?專利的“穿過透鏡”的壓差真空系統(tǒng)，對導(dǎo)電和不導(dǎo)電樣品都可進(jìn)行EDS/EBSD分析，不管是在高真空模式或在低真空模式。穩(wěn)定的大束流(最大2μA)確保能譜及EBSD分析工作的快速、準(zhǔn)確
?電鏡可作為一個微觀實(shí)驗(yàn)室。安裝特殊的原位樣品臺后，在從-165°C到1500°C溫度范圍
內(nèi)，對多種樣品保持其原始狀態(tài)下進(jìn)行動態(tài)原位分析
?對導(dǎo)電樣品，可選用減速模式得到表面和成份信息
?直觀、簡便易用的軟件，即使電鏡新手也能輕易上手
典型應(yīng)用
納米表征
?金屬及合金,氧化/腐蝕,斷口,焊點(diǎn),拋光斷面,磁性及超導(dǎo)材料
?陶瓷,復(fù)合材料,塑料
?薄膜/涂層
?地質(zhì)樣品斷面,礦物
?軟物質(zhì):聚合物,藥品,過濾膜,凝膠,生物組織,木材
?顆粒,多孔材料,纖維
原位過程分析
?增濕/去濕
?浸潤行為/接觸角分析
?氧化/腐蝕
?拉伸(伴隨加熱或冷卻)
?結(jié)晶/相變
納米原型制備
?電子束曝光(EBL)
?電子束誘導(dǎo)沉積(EBID)